Зондовое нанопрофилирование поверхности кремния методом локального анодного окисления

Abstract

В работе представлены результаты профилирования поверхности подложки кремния методом локального анодного окисления с использованием атомно силового микроскопа. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов производства изделий наноэлектроники на основе методов зондовых нанотехнологии.

The paper presents the results of surface treatment of silicon substrate by the method of local anodic oxidation using an atomic force microscope. The results can be used in the development of technological processes of manufacturing of nanoelectronics components based on silicon using the probe nanotechnology.