Исследование поверхностного потенциала в области p-n перехода на сколах GaAs гетероструктур методами атомно-силовой микроскопии

Abstract

Недавно был обнаружен эффект увеличения пробойного напряжения GaAs/AlGaAs диодов с непассивированной поверхностью вследствие многократного циклического увеличения обратного напряжения, сопровождавшегося незначительными токами утечки. В данной работе методами атомно-силовой микроскопии путѐм сопоставления изменений в топографии поверхности и в распределении электрического потенциала на поверхности скола изучен эффект увеличения пробойного напряжения GaAs/AlGaAs диодов при возникновении поверхностных токов утечки.

Recently it has found the process of increasing the breakdown voltage of GaAs/AlGaAs unpassivated diodes after cyclic increasing of bias voltage. This work shows the comparison of topography changes, electric potential distribution and surface leakage current on the chip of the GaAs/AlGaAs heterostructers, which explain the increasing of breakdown voltage. The researching was carried out by using atomic-force microscopy.