Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/102264
Название: Physical properties of strontium barium niobate thin films prepared by polymeric chemical method
Авторы: Melo, M.
Araujo, E. B.
Turygin, A. P.
Shur, V. Y.
Kholkin, A. L.
Шур, В. Я.
Дата публикации: 2016
Издатель: Taylor and Francis Inc.
Библиографическое описание: Physical properties of strontium barium niobate thin films prepared by polymeric chemical method / M. Melo, E. B. Araujo, A. P. Turygin, et al. — DOI 10.1080/00150193.2016.1155035 // Ferroelectrics. — 2016. — Vol. 496. — Iss. 1. — P. 177-186.
Аннотация: Randomly oriented Sr0.75Ba0.25Nb2O6 thin films have been deposited on Pt(111)/Ti/SiO2/Si substrates using a polymeric chemical method to study their physical properties. Refinements of the structure confirm the stoichiometry of the studied films. The relaxor behavior is evidenced by the dielectric measurements and Vögel-Fulcher analysis of the dielectric curves. Lowering the transition temperature (Tm) by about 100 K and asymmetries in the local hysteresis loops well above Tm are discussed in terms of the existence of complex defects in thin films. © 2016 Taylor & Francis Group, LLC.
Ключевые слова: DIELECTRIC MEASUREMENT
HYSTERESIS LOOP
RELAXOR
SBN
BARIUM
BARIUM COMPOUNDS
HYSTERESIS
HYSTERESIS LOOPS
NIOBIUM
PHYSICAL PROPERTIES
POLYMERS
STRONTIUM COMPOUNDS
CHEMICAL METHOD
COMPLEX DEFECTS
DIELECTRIC MEASUREMENTS
LOCAL HYSTERESIS LOOPS
PT(111)
RELAXOR BEHAVIOR
RELAXORS
STRONTIUM BARIUM NIOBATE
THIN FILMS
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/102264
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
Идентификатор SCOPUS: 84964523016
Идентификатор WOS: 000374630800020
Идентификатор PURE: c558b96c-cad6-44e9-9edf-3cb44c63d023
790293
ISSN: 150193
DOI: 10.1080/00150193.2016.1155035
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-84964523016.pdf919,61 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.