Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/102234
Название: | XPS and DFT study of pulsed Bi-implantation of bulk and thin-films of ZnO—The role of oxygen imperfections |
Авторы: | Zatsepin, D. A. Boukhvalov, D. W. Gavrilov, N. V. Kurmaev, E. Z. Zhidkov, I. S. |
Дата публикации: | 2016 |
Издатель: | Elsevier B.V. |
Библиографическое описание: | XPS and DFT study of pulsed Bi-implantation of bulk and thin-films of ZnO—The role of oxygen imperfections / D. A. Zatsepin, D. W. Boukhvalov, N. V. Gavrilov, et al. — DOI 10.1016/j.apsusc.2016.07.045 // Applied Surface Science. — 2016. — Vol. 387. — P. 1093-1099. |
Аннотация: | An atomic and electronic structure of the bulk and thin-film morphologies of ZnO were modified using pulsed Bi-ion implantation (1 × 10 17 cm −2 fluence, 70 min exposure under Bi-ion beam, E Bi + = 30 keV, pulsed ion-current density of not more than 0.8 mA/cm 2 with a repetition rate of 12.5 Hz). The final samples were qualified by X-ray photoelectron core-level and valence band mapping spectroscopy applying ASTM materials science standard. The spectroscopy data obtained was discussed on the basis of DFT-models for Bi-embedding into ZnO host-matrices. It was established that in the case of direct Bi-impurities insertion into the employed ZnO-host for both studied morphologies neither the only “pure” Bi 2 O 3 -like phase nor the only “pure” Bi-metal will be preferable to appear as a secondary phase. An unfavorability of the large cluster agglomeration of Bi-impurities in ZnO-hosts has been shown and an oxygen 2s electronic states pleomorphizm was surely established. © 2016 |
Ключевые слова: | DFT MODELLING ION IMPLANTATION XPS MEASUREMENTS ZINK OXIDE ELECTRONIC STRUCTURE II-VI SEMICONDUCTORS ION BEAMS ION IMPLANTATION IONS OXYGEN THIN FILMS X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY ZINC OXIDE ION CURRENT DENSITY LARGE CLUSTERS REPETITION RATE SECONDARY PHASE SPECTROSCOPY DATA THIN FILM MORPHOLOGY X-RAY PHOTOELECTRONS XPS MEASUREMENTS BISMUTH COMPOUNDS |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/102234 |
Условия доступа: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Идентификатор SCOPUS: | 84978472421 |
Идентификатор WOS: | 000381251100133 |
Идентификатор PURE: | 191a2c16-1dc1-43f4-af58-bca247e5a6e5 1053601 |
ISSN: | 1694332 |
DOI: | 10.1016/j.apsusc.2016.07.045 |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2-s2.0-84978472421.pdf | 943,41 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.