Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/101912
Название: Gate-tunable infrared plasmons in electron-doped single-layer antimony
Авторы: Prishchenko, D. A.
Mazurenko, V. G.
Katsnelson, M. I.
Rudenko, A. N.
Дата публикации: 2018
Издатель: American Physical Society
Библиографическое описание: Gate-tunable infrared plasmons in electron-doped single-layer antimony / D. A. Prishchenko, V. G. Mazurenko, M. I. Katsnelson, et al. — DOI 10.1103/PhysRevB.98.201401 // Physical Review B. — 2018. — Vol. 98. — Iss. 20. — 201401.
Аннотация: We report on a theoretical study of collective electronic excitations in single-layer antimony crystals (antimonene), a novel two-dimensional semiconductor with strong spin-orbit coupling. Based on a tight-binding model, we consider electron-doped antimonene and demonstrate that the combination of spin-orbit effects with an external bias gives rise to peculiar plasmon excitations in the midinfrared spectral range. These excitations are characterized by low losses and negative dispersion at frequencies effectively tunable by doping and bias voltage. The observed behavior is attributed to the spin splitting of the conduction band, which induces interband resonances, affecting the collective excitations. Our findings open up the possibility to develop plasmonic and optoelectronic devices with high tunability, operating in a technologically relevant spectral range. © 2018 American Physical Society.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/101912
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
Идентификатор РИНЦ: 38624087
Идентификатор SCOPUS: 85056404140
Идентификатор PURE: 8328712
ac3af15e-0677-4a89-84e0-836513291ed0
ISSN: 24699950
DOI: 10.1103/PhysRevB.98.201401
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-85056404140.pdf1,78 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.