Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/101550
Название: | Chemical instability of free-standing boron monolayers and properties of oxidized borophene sheets |
Авторы: | Lei, X. Zatsepin, A. F. Boukhvalov, D. W. |
Дата публикации: | 2020 |
Издатель: | Elsevier B.V. |
Библиографическое описание: | Lei X. Chemical instability of free-standing boron monolayers and properties of oxidized borophene sheets / X. Lei, A. F. Zatsepin, D. W. Boukhvalov. — DOI 10.1016/j.physe.2020.114082 // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. — 2020. — Vol. 120. — 114082. |
Аннотация: | In this work we report results of step-by-step modelling of the oxidation of free-standing boron monolayers of different types. Results of the calculations demonstrate that the process of the oxidation is always exothermic and lead toward the formation of foam-like boron oxide films with incorporated non-oxidized small boron clusters. Some of these boron-oxide films demonstrate the presence of chemically stable magnetic centers. Evaluation of the physical properties of oxidized boprophene sheets (OBS) demonstrate it possible application in solar energy, as sensors and coating against leakage of hydrogen. © 2020 Elsevier B.V. |
Ключевые слова: | MONOLAYERS OXIDE FILMS SOLAR ENERGY SOLAR POWER GENERATION BORON CLUSTERS BORON OXIDES CHEMICAL INSTABILITY MAGNETIC CENTERS OXIDATION |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/101550 |
Условия доступа: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Идентификатор SCOPUS: | 85081663215 |
Идентификатор WOS: | 000545246500031 |
Идентификатор PURE: | e28597ba-69e5-47ae-98c8-3d408320f8ea 12419858 |
ISSN: | 13869477 |
DOI: | 10.1016/j.physe.2020.114082 |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2-s2.0-85081663215.pdf | 662,11 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.