Просмотр коллекции по группе - По автору Neverov, V. N.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
или введите несколько первых букв:  
Отображение результатов 4 до 8 из 8 < назад 
Дата публикацииНазваниеАвторы
2019HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potentialGudina, S. V.; Arapov, Yu. G.; Neverov, V. N.; Podgornykh, S. M.; Popov, M. R.; Deriushkina, E. V.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V.; Mikhailov, N. N.; Dvoretsky, S. A.
2021Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide H gTe quantum well: "extremum loop" model and effects of cubic symmetryGudina, S. V.; Bogolubskiy, A. S.; Neverov, V. N.; Turutkin, K. V.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V.
2013Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wellsArapov, Y. G.; Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Podgornykh, S. M.; Yakunin, M. V.
2013Tunneling effects in tilted magnetic fields in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wellsArapov, Y. G.; Gudina, S. V.; Klepikova, A. S.; Neverov, V. N.; Podgornykh, S. M.; Yakunin, M. V.; Zvonkov, B. N.
2023ОБМЕННОЕ УСИЛЕНИЕ G-ФАКТОРА ЭЛЕКТРОНОВ В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAsSandakov, N. S.; Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Bogoliubskiy, A. S.; Turutkin, K. V.; Yakunin, M. V.; Vasil’evskiy, I. S.; Vinichenko, A. N.; Сандаков, Н. С.; Гудина, С. В.; Неверов, В. Н.; Боголюбский, А. С.; Туруткин, К. В.; Якунин, М. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.