Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/35624
Название: | Термостабильность атомных и электронных структур при формировании интерфейсов графена и силицена на подложках металлов |
Авторы: | Курбанова, Э. Д. Полухин, В. А. Гусева, А. Б. Митрофанова, Н. С. |
Дата публикации: | 2015 |
Издатель: | Уральский федеральный университет |
Библиографическое описание: | Термостабильность атомных и электронных структур при формировании интерфейсов графена и силицена на подложках металлов / Э. Д. Курбанова, В. А. Полухин, А. Б. Гусева [и др.] // Физика. Технологии. Инновации : сборник научных трудов. — Екатеринбург : [УрФУ], 2015. — Вып. 1. — С. 129-137. |
Аннотация: | На основе компьютерного моделирования термической эволюции интерфейсов графен/металл и силицен/металл (М: Ir, Au, Ag и др.) установлены критерии стабильности функциональных свойств этих интерфейсов при сохранении конуса Дирака, как условие достижения высоких скоростей электропереноса (включая легирование интеркалляцией калия). Analyzing MD simulation data on the thermic evolution of G/M, Si/M interface there are have been established the specificities and criteria of functional stability of atomic, electron (conserving Dirac cone) structures, as main condition of excellent electronic properties (superconductivity including). |
Ключевые слова: | ГРАФЕН РИНГ-КЛАСТЕРЫ ТЕРМОСТАБИЛЬНОСТЬ СИЛИЦЕН GRAPHENE RING CLUSTERS THERMAL STABILITY SILICENE |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/35624 |
Идентификатор РИНЦ: | https://elibrary.ru/item.asp?id=25651384 |
ISBN: | 978-5-905227-08-0 |
Источники: | Физика. Технологии. Инновации. Вып. 1. — Екатеринбург, 2015 |
Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
fti_2015_22.pdf | 1,45 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.