Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99594
Название: Получение нанопористого материала Si/SiO2/Zn химическим и электрохимическим методами осаждения
Другие названия: OBTAINING OF THE Si/SiO2/Zn NANOPOROUS MATERIAL WITH CHEMICAL AND ELECTROCHEMICAL DEPOSITION TECHNIQUES
Авторы: Альжанова, А. Е.
Даулетбекова, А. К.
Дата публикации: 2016
Издатель: УрФУ
Библиографическое описание: Альжанова А. Е. Получение нанопористого материала Si/SiO2/Zn химическим и электрохимическим методами осаждения / А. Е. Альжанова, А. К. Даулетбекова // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 16–20 мая 2016 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2016. — C. 159-160.
Аннотация: We have reported results on ZnO nanoclusters deposition into SiO2por/Si structures. SiO2/Si samples were irradiated with 131Xe ions using an ion cyclotron accelerator DC-60 at Astana, Kazakhstan. Afterwards, nanoporous channels were fulfilled with Zn using chemical and electrochemical deposition techniques. Morphology of synthesized Si/SiO2/Zn system was investigated using scanning electron microscopy.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99594
Конференция/семинар: III Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Дата конференции/семинара: 16.05.2016-20.05.2016
Источники: Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2016). — Екатеринбург, 2016
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2016_088.pdf360,17 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.