Получение нанопористого материала Si/SiO2/Zn химическим и электрохимическим методами осаждения

Альжанова, А. Е.; Даулетбекова, А. К.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99594

Title:	Получение нанопористого материала Si/SiO2/Zn химическим и электрохимическим методами осаждения
Other Titles:	OBTAINING OF THE Si/SiO2/Zn NANOPOROUS MATERIAL WITH CHEMICAL AND ELECTROCHEMICAL DEPOSITION TECHNIQUES
Authors:	Альжанова, А. Е. Даулетбекова, А. К.
Issue Date:	2016
Publisher:	УрФУ
Citation:	Альжанова А. Е. Получение нанопористого материала Si/SiO2/Zn химическим и электрохимическим методами осаждения / А. Е. Альжанова, А. К. Даулетбекова // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 16–20 мая 2016 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2016. — C. 159-160.
Abstract:	We have reported results on ZnO nanoclusters deposition into SiO2por/Si structures. SiO2/Si samples were irradiated with 131Xe ions using an ion cyclotron accelerator DC-60 at Astana, Kazakhstan. Afterwards, nanoporous channels were fulfilled with Zn using chemical and electrochemical deposition techniques. Morphology of synthesized Si/SiO2/Zn system was investigated using scanning electron microscopy.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/99594
Conference name:	III Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Conference date:	16.05.2016-20.05.2016
Origin:	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2016). — Екатеринбург, 2016
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
fti_2016_088.pdf		360,17 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar