ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/99560| Название: | Влияние толщины антиферромагнитного слоя FeMn на эффект обменного смещения в плёночных структурах типа FeMn/Fe20Ni80 |
| Другие названия: | THE INFLUENCE OF ANTIFERROMAGNETIC FEMN LAYER THICKNESS ON EXCHANGE BIAS IN FeMn/Fe20Ni80 THIN FILMS |
| Авторы: | Куликова, Т. В. Степанова, Е. А. Кулеш, Н. А. Васьковский, В. О. |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | УрФУ |
| Библиографическое описание: | Влияние толщины антиферромагнитного слоя FeMn на эффект обменного смещения в плёночных структурах типа FeMn/Fe20Ni80 / Т. В. Куликова, Е. А. Степанова, Н. А. Кулеш, В. О. Васьковский // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 16–20 мая 2016 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2016. — C. 111-113. |
| Аннотация: | The dependences of exchange bias in thin films such as FeMn/Fe20Ni80 on antiferromagnetic FeMn layer thickness were defined at temperature range of 5 ÷ 300 K. Based on them the temperature dependences of FeMn magnetic anisotropy were estimated and used for revealing the anisotropy effects on exchange bias. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/99560 |
| Конференция/семинар: | III Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» |
| Дата конференции/семинара: | 16.05.2016-20.05.2016 |
| Сведения о поддержке: | Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России, проект RFMEFI57815X0125. |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2016). — Екатеринбург, 2016 |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| fti_2016_057.pdf | 883,43 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.