ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/98919| Название: | Механизмы электропереноса в тонкопленочных структурах [ZnO/SiO2]25 |
| Другие названия: | CONDUCTIVITY MECHANISMS IN [ZnO/SiO2]25 THIN-FILM STRUCTURES |
| Авторы: | Бассараб, В. В. Жилова, О. В. Каширин, М. А. Макагонов, В. А. Панков, С. Ю. Фошин, В. А. |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ» |
| Библиографическое описание: | Механизмы электропереноса в тонкопленочных структурах [ZnO/SiO2]25 / В. В. Бассараб, О. В. Жилова, М. А. Каширин, В. А. Макагонов, С. Ю. Панков, В. А. Фошин // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VI Международной молодежной научной конференции, посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ (Екатеринбург, 20–24 мая 2019 г.). — Екатеринбург : ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ», 2019. — C. 171-172. |
| Аннотация: | [ZnO/SiO2]25 thin-film structures were obtained by ion-beam sputtering. Hopping mechanism of conductivity with a variable length of hops over localized states near the Fermi level as the temperature rises from 77 to 300 K. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/98919 |
| Конференция/семинар: | VI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ |
| Дата конференции/семинара: | 20.05.2019-24.05.2019 |
| ISBN: | 978-5-8295-0640-7 |
| Сведения о поддержке: | Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки в рамках проектной части государственного задания (3.1867.2017/4.6). |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2019). — Екатеринбург, 2019 |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 978-5-8295-0640-7_2019_086.pdf | 327,61 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.