Механизмы электропереноса в тонкопленочных структурах [ZnO/SiO2]25

Бассараб, В. В.; Жилова, О. В.; Каширин, М. А.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Фошин, В. А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/98919

Title:	Механизмы электропереноса в тонкопленочных структурах [ZnO/SiO2]25
Other Titles:	CONDUCTIVITY MECHANISMS IN [ZnO/SiO2]25 THIN-FILM STRUCTURES
Authors:	Бассараб, В. В. Жилова, О. В. Каширин, М. А. Макагонов, В. А. Панков, С. Ю. Фошин, В. А.
Issue Date:	2019
Publisher:	ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ»
Citation:	Механизмы электропереноса в тонкопленочных структурах [ZnO/SiO2]25 / В. В. Бассараб, О. В. Жилова, М. А. Каширин, В. А. Макагонов, С. Ю. Панков, В. А. Фошин // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VI Международной молодежной научной конференции, посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ (Екатеринбург, 20–24 мая 2019 г.). — Екатеринбург : ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ», 2019. — C. 171-172.
Abstract:	[ZnO/SiO2]25 thin-film structures were obtained by ion-beam sputtering. Hopping mechanism of conductivity with a variable length of hops over localized states near the Fermi level as the temperature rises from 77 to 300 K.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/98919
Conference name:	VI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ
Conference date:	20.05.2019-24.05.2019
ISBN:	978-5-8295-0640-7
metadata.dc.description.sponsorship:	Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки в рамках проектной части государственного задания (3.1867.2017/4.6).
Origin:	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2019). — Екатеринбург, 2019
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
978-5-8295-0640-7_2019_086.pdf		327,61 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar