Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/97336
Название: Способ получения субмикронных кристаллов нитрида алюминия
Другие названия: Method of Producing Submicron Crystals of Aluminium Nitride
Номер патента: 2738328
Авторы: Афонин, Ю. Д.
Чайкин, Д. В.
Вохминцев, А. С.
Вайнштейн, И. А.
Шульгин, Б. В.
Afonin, Yu. D.
Chaikin, D. V.
Vokhmintsev, A. S.
Weinshtein, I. A.
Shulgin, B. V.
Дата публикации: 2020-12-11
Аннотация: Изобретение относится к химической технологии субмикронных кристаллов нитрида алюминия в форме гексагональных призм и комбинации гексагональной призмы с дипирамидой и пинакоидом, которое может быть использовано при создании элементов нано-, микро- и оптоэлектроники, а также люминесцентно-активных микроразмерных сенсоров медико-биологического назначения. Гранулы металлического алюминия смешивают с порошком трифторида алюминия в соотношении 1:1 − 3:1 и нагревают смесь до температуры образования паров субфторида алюминия, равной 1050 − 1150°С, в атмосфере аммиака, подаваемого в пространство над жидким алюминием с объемной скоростью подачи ниже 50 мл/мин при абсолютном давлении 0,03 – 0,07 МПа. Технический результат состоит в получении кристаллов нитрида алюминия с одинаковым фракционным размером от 70 нм до 1 мкм.
FIELD: chemistry. SUBSTANCE: invention relates to chemical engineering of submicron aluminium nitride crystals in the form of hexagonal prisms and a combination of a hexagonal prism with a dipyramid and pinacoid, which can be used in creating elements of nano-, micro- and optoelectronics, as well as luminescent-active micro-size sensors for medical and biological purposes. Granules of metal aluminium are mixed with powder of aluminium trifluoride in ratio 1:1–3:1 and mixture is heated to temperature of formation of aluminium sub-fluoride vapours, equal to 1050–1150 °C, in an ammonia atmosphere fed into space above liquid aluminium with volumetric feed rate below 50 ml/min at absolute pressure 0.03–0.07 MPa. EFFECT: technical result consists in obtaining aluminium nitride crystals with the same fractional size from 70 nm to 1 mcm.
Ключевые слова: PATENT
INVENTION
ПАТЕНТ
ИЗОБРЕТЕНИЕ
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/97336
Идентификатор РИНЦ: 44441356
Идентификатор PURE: 21244477
Вид РИД: Патент на изобретение
Патентообладатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина»
Располагается в коллекциях:Патенты и изобретения

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2738328.pdf1,23 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.