ISSN: 2310-757X
Статистика
Посещений всего
| Посещения | |
|---|---|
| Formation of vacuum electronics elements by a combination of methods of focused ion beams and plasma layer etching on SiC | 126 |
Посещений по месяцам
| октября 2024 | ноября 2024 | декабря 2024 | января 2025 | февраля 2025 | марта 2025 | апреля 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Formation of vacuum electronics elements by a combination of methods of focused ion beams and plasma layer etching on SiC | 3 | 3 | 2 | 3 | 6 | 13 | 10 |
Загрузок
| Посещения | |
|---|---|
| 978-5-9500624-2-1_2019_196.pdf | 68 |
Посещений по странам
| Посещения | |
|---|---|
| Соединенные Штаты | 61 |
| Россия | 22 |
| Германия | 8 |
| Бразилия | 4 |
| Франция | 4 |
| Япония | 4 |
| Сенегал | 4 |
| Сингапур | 3 |
| Вьетнам | 3 |
| Армения | 2 |
Посещений по городам
| Посещения | |
|---|---|
| Moscow | 15 |
| Ashburn | 11 |
| San Mateo | 4 |
| Cajamar | 1 |
| Des Moines | 1 |
| Ketsch | 1 |
| Murom | 1 |
| Odintsovo | 1 |
| Ryazan | 1 |
| Saratov | 1 |