Оценка факторов, влияющих на измерение удельного электрического сопротивления материала стандартных образцов кремния монокристаллического

Abstract

When measuring the electrical resistivity of the four-probe method, it is necessary to take into account the factors that make an error in the final result. In this paper, the main influencing factors for the measurement of silicon wafers are estimated, correction factors are selected and ap-propriate conclusions are drawn.

При измерении удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом необходимо брать во внимание факторы, которые вносят дополнительные отклонения от истинного значения. В данной работе оценены основные влияющие факторы для измерения пластин кремния монокристаллического диаметром 100 мм, а также выбраны поправочные коэффициенты и сделаны соответствующие выводы.