Полупроводниковый чувствительный элемент для селективного детектора оксидов азота и способ его получения

Abstract

FIELD: manufacture of semiconductor material for selective detector of nitrogen oxides. SUBSTANCE: semiconductor material for selective detector includes as sensitive member film on base of lead sulfide applied onto dielectric substrate. Sensitive member contains in addition cadmium sulfide in the form of solid solution with lead sulfide. Relation of cadmium and lead in hard solution of sulfides CdₓPb>iₓS is set in changing range x = 0.133 ± 0.07. Method for producing semiconductor material for selective detector of nitrogen oxides comprises steps of single-stage formation of sensitive film selectively adsorbing nitrogen oxides. Such film is deposited on dielectric substrate from reaction solution containing lead and cadmium salts, thiourea, three substituted sodium citrate, ammonium hydroxide with concentration, mol/l:Pb( CH₃COO)₂,- 0.04; Na₃C₆H₅O, - 0.3; NH₄OH, - 0.4;H₂)₂ - 0.6; CdCl_2, - 0.05. EFFECT: possibility for producing semiconductor material for selective detector of nitrogen oxides having high sensibility and high dynamics of response of sensitive layer to gases at different detection condition. 4 cl, 3 tbl, 3 dwg.

Полупроводниковый материал для селективного детектора оксидов азота содержит в качестве чувствительного элемента тонкую пленку на основе сульфида свинца, нанесенного на диэлектрическую подложку. При этом чувствительный элемент дополнительно содержит сульфид кадмия в виде твердого раствора с сульфидом свинца. Соотношение кадмия и свинца в твердом растворе сульфидов CdₓPb_1-xS задают диапазоном изменения х=0.133±0.07. Также предложен способ получения полупроводникового материала для селективного детектора оксидов азота, который заключается в одностадийном формировании чувствительной пленки, селективно адсорбирующей оксиды азота. Формирование пленки осуществляется путем осаждения ее на диэлектрическую подложку из реакционного раствора, содержащего соли свинца и кадмия, тиомочевину, трехзамещенный лимоннокислый натрий, гидроокись аммония при концентрации, моль/л: Pb(СН₃СОО)₂ 0.04, Na₃C₆H₅O 0.3, NH₄OH 0.4, CS(NH₂)₂ 0.6, CdCl₂ 0.005?0.10. Техническим результатом данного изобретения является получение полупроводникового материала для селективного детектора оксидов азота, характеризующегося высокой чувствительностью и высокой динамичностью отклика чувствительного слоя к газам для разных условий замера. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 табл., 3 ил.