Определение кремния в трисульфиде димышьяка и прекурсорах атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей в электроде

Abstract

Разработана методика дугового атомно-эмиссионного анализа прекурсоров и стекол из трисульфида димышьяка с концентрированием кремния и других нелетучих примесей в кратере графитового электрода отгонкой матрицы. Предел обнаружения примеси кремния в граммовой аналитической навеске составил 7·10⁻⁷ % мас.

The atomic-emission technique for determination of silicon and other nonvolatile impurities in precursors and diarsenic trisulfide glasses was developed using matrix distillation from the crater of the graphite electrode. The detection limit (3σ criteria) of silicon gramsample was 7·10⁻⁷ % wt.