Фрактальный анализ АСМ-изображений химически осажденных пленок Cu–Ga–Se

Abstract

С использованием атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности тонких пленок Cu–Ga–Se, полученных совместным гидрохимическим осаждением селенидов меди (I) Cu2Se и галлия Ga2Se3. С помощью фрактального анализа АСМ-изображений установлена зависимость между условиями осаждения тонких пленок Cu–Ga–Se и их фрактальной размерностью, рассчитанной методом подсчета кубов и методом триангуляции. Также предложен механизм формирования и роста пленок при гидрохимическом осаждении диселенида меди (I) и галлия.

The surface morphology of Cu–Ga–Se thin films prepared by chemical bath deposition of copper (I) Cu2Se and gallium selenides Ga2Se3 was investigated by means of an atomic-force microscopy. The dependence between the conditions of the deposition of Cu–Ga–Se thin films and their fractal dimension, calculated by counting cubes and by triangulation, was defined by means of fractal analysis. A mechanism for the formation and growth of films at chemical bath deposition of copper (I) and gallium selenides was proposed well as.