Получение тонкопленочных солнечных преобразователей на основе CuIn(S,Se)2 методом гидрохимического осаждения

Abstract

Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системах “хлорид индия − хлорид меди − тиомочевина” и “хлорид индия − хлорид меди − тиомочевина – трилон Б” определены граничные условия образования Cu2S и In2S3 и их гидроксидов с учетом кристаллизационного фактора, а также потенциальная область образования твердых растворов замещения на их основе. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением пленок твердых растворов замещения InxCu1−xS2 различного состава. Обсуждены экспериментальные данные по распределению и атомарным соотношениям элементов в синтезированных образцах, полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Благодаря растровой электронной микроскопии выявлены изменения поверхностной микроструктуры пленок от температуры и состава реакционной смеси. Синтезированные тонкопленочные соединения обладают n-типом проводимости.

Calculation of ionic equilibrium with using of thermodynamic constants for systems “indium chloride − copper chloride − teourea” and “indium chloride − copper chloride − teourea – trilon B” defines boundary conditions of formation Cu2S and In2S3 and their hydroxides in to account the crystallization factor. It was experimentally shown that there is bath deposition of solid solution thin films InxCu1−xS2 with various compositions. The experimental date on the distribution and the atomic ration of elements in synthesized patterns obtained by the x-ray photoelectron spectroscopy were discussed. The change in the surface microstructure of thin films depending on the temperature and the composition of reaction bath were determined by means of scanning electron microscopy. The structure of obtained thin films has n-type of conductivity.