ISSN: 2310-757X
Статистика
Посещений всего
| Посещения | |
|---|---|
| Физико-химические условия устойчивости наночипов GaAs/GaAsxNy/GaN | 264 |
Посещений по месяцам
| октября 2024 | ноября 2024 | декабря 2024 | января 2025 | февраля 2025 | марта 2025 | апреля 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Физико-химические условия устойчивости наночипов GaAs/GaAsxNy/GaN | 5 | 2 | 4 | 2 | 2 | 3 | 0 |
Загрузок
| Посещения | |
|---|---|
| cfu-2013-19.pdf | 303 |
Посещений по странам
| Посещения | |
|---|---|
| Россия | 59 |
| Соединенные Штаты | 52 |
| Германия | 11 |
| Франция | 8 |
| Китай | 7 |
| Финляндия | 6 |
| Ирландия | 6 |
| Австралия | 3 |
| Армения | 2 |
| Чехия | 2 |
Посещений по городам
| Посещения | |
|---|---|
| Moscow | 28 |
| Ashburn | 7 |
| Nanjing | 3 |
| Murom | 2 |
| Singapore | 2 |
| St Petersburg | 2 |
| Wilmington | 2 |
| Woodbridge | 2 |
| Andover | 1 |
| Balashikha | 1 |