Программа для расчета глубины диффузии в полупроводниках

Новоселов, И. Э.; Чолах, С. О.; Жидков, И. С.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elar.urfu.ru/handle/10995/147811

Title:	Программа для расчета глубины диффузии в полупроводниках
Patent Number:	2025686051
Authors:	Новоселов, И. Э. Чолах, С. О. Жидков, И. С.
Issue Date:	2025-09-29
Abstract:	Программа предназначена для расчета глубины диффузии в полупроводниках. Область применения — научные и инженерные исследования в микроэлектронике, материаловедении и технологии производства полупроводниковых приборов. Функциональные возможности: ввод параметров диффузионного процесса, включая концентрации диффузанта в полупроводнике и на его поверхности, глубину p-n перехода, энергию активации диффузии, частотный множитель, вычисление зависимости времени диффузии от температуры, отображение результатов в табличной форме. РИД создан в рамках проекта Приоритет 2030. Тип ЭВМ: IBM-PC-совмест. ПК; ОС: Windows 10/11.
Keywords:	PATENT COMPUTER SOFTWARE ПАТЕНТ ПРОГРАММА ДЛЯ ЭВМ
URI:	https://elar.urfu.ru/handle/10995/147811
RSCI ID:	83121710
PURE ID:	94910751
Patent Type:	Регистрация программы для ЭВМ
Patent Owner:	Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина»
Appears in Collections:	Патенты и изобретения

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
2025686051.pdf		189,47 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record