Фоточувствительная композиция и способ ее изготовления

Abstract

FIELD: materials for photographic devices. SUBSTANCE: method of making a photosensitive composition involves holding a silicon substrate in a solution for precipitating lead sulphide containing a lead (II) salt, sodium citrate, thiourea and ammonium hydroxide, wherein for deposition of lead sulphide silicon substrate is preliminarily degreased in NaHCO3 solution and treated in 35% KOH solution at room temperature for 5 minutes, then held in solution for precipitation of lead sulphide, additionally containing ammonium chloride additive, at pH 12 and temperature of 80°C. Photosensitive composition contains a lead sulphide film with thickness of 0.5 to 1 mcm, the lead sulphide film on silicon is represented by uniformly distributed crystals with an average face size of 0.5 to 0.7 mcm. EFFECT: invention provides high photosensitivity and photoelectric effect of silicon while maintaining its composition up to temperature of 150°C. 2 cl, 2 dwg.

Изобретение относится к материалам для фотоприборов. Способ изготовления фоточувствительной композиции включает выдержку кремниевой подложки в растворе для осаждения сульфида свинца, содержащем соль свинца (II), цитрат натрия, тиомочевину и гидроксид аммония, при этом для осаждения сульфида свинца кремниевую подложку предварительно обезжиривают в растворе NaHCO3 и обрабатывают в 35%-ом растворе KOH при комнатной температуре в течение 5 мин, после чего выдерживают в растворе для осаждения сульфида свинца, дополнительно содержащем добавку хлорида аммония, при рН 12 и температуре 80°С. Фоточувствительная композиция содержит пленку сульфида свинца толщиной от 0,5 до 1 мкм, пленка сульфида свинца на кремнии представлена равномерно распределенными кристаллами со средним размером грани от 0,5 до 0,7 мкм. Изобретение обеспечивает повышение фоточувствительности и фотоэлектрического эффекта кремния при сохранении ее состава вплоть до температуры 150°С. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.