Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/142383
Название: | Поли[(2,7-бис(1',4'-фенилен)дибензо[a,c]феназин-4',4'-диил)1,4-фенилендиметанимин-N,N'-диил] |
Другие названия: | Poly[(2,7-bis(1',4'-phenylene)dibenzo[a,c]phenazine-4',4'-diyl)1,4-phenylenedimethanimine-N,N'-diyl] |
Номер патента: | 2817296 |
Авторы: | Аль-Итхави, В. А. Никонов, И. Л. Хасанов, А. Ф. Ковалев, И. С. Платонов, В. А. Глебов, Н. С. Кудряшова, Е. А. Краснопёрова, К. Д. Копчук, Д. С. Зырянов, Г. В. Чупахин, О. Н. Al-Itkhavi, V. K. A. Nikonov, I. L. Khasanov, A. F. Kovalev, I. S. Platonov, V. A. Glebov, N. S. Kudriashova, E. A. Krasnoperova, K. D. Kopchuk, D. S. Zyrianov, G. V. Chupakhin, O. N. |
Дата публикации: | 2024-04-12 |
Аннотация: | FIELD: chemistry. SUBSTANCE: invention relates to high-molecular azomethine compounds functionalised with dibenzo [a,c]phenazine fragments. Poly[(2,7-bis(1',4'-phenylene)dibenzo[a,c]phenazine-4',4'-diyl)1,4-phenylenedimethanimine-N,N'-diyl] (1) is high-molecular compound of azomethine series, functionalised dibenzo [a,c]phenazine fragments is described by the following structural formula , wherein n = 8.42, and number average molecular weight is 5365 Da. EFFECT: proposed invention can be used in research laboratories and in production as a biodegradable component in production of organic semiconductors. 1 cl, 1 ex. Изобретение относится к области высокомолекулярных соединений азометинового ряда, функционализированных дибензо[a,c]феназиновыми фрагментами. Поли[(2,7-бис(1',4'-фенилен)дибензо[a,c]феназин-4',4'-диил)1,4-фенилендиметанимин-N,N'-диил] (1) - высокомолекулярное соединение азометинового ряда, функционализированное дибензо[a,c]феназиновыми фрагментами, описывается следующей структурной формулой , при этом n=8.42, а среднечисловая молекулярная масса составляет 5365 Да. Предложенное изобретение может найти применение в исследовательских лабораториях и на производстве как биоразлагаемый компонент в производстве органических полупроводников. 1 пр. |
Ключевые слова: | PATENT INVENTION ПАТЕНТ ИЗОБРЕТЕНИЕ |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/142383 |
Идентификатор РИНЦ: | 65630550 |
Вид РИД: | Patent of Invention Патент на изобретение |
Патентообладатель: | Ural Federal University Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" |
Располагается в коллекциях: | Патенты и изобретения |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2817296.pdf | 746,29 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.