ISSN: 2310-757X
Статистика
Посещений всего
| Посещения | |
|---|---|
| Molecular Dynamics Simulation of Thin Silicon Carbide Films Formation by the Electrolytic Method | 70 |
Посещений по месяцам
| октября 2024 | ноября 2024 | декабря 2024 | января 2025 | февраля 2025 | марта 2025 | апреля 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Molecular Dynamics Simulation of Thin Silicon Carbide Films Formation by the Electrolytic Method | 9 | 2 | 5 | 7 | 3 | 3 | 0 |
Загрузок
| Посещения | |
|---|---|
| 2-s2.0-85156105161.pdf | 77 |
Посещений по странам
| Посещения | |
|---|---|
| Соединенные Штаты | 38 |
| Россия | 6 |
| Австралия | 5 |
| Франция | 4 |
| Германия | 3 |
| Сингапур | 3 |
| Бразилия | 2 |
| Китай | 2 |
| Япония | 2 |
| Аргентина | 1 |
Посещений по городам
| Посещения | |
|---|---|
| Moscow | 4 |
| San Mateo | 4 |
| Brisbane | 1 |
| Figtree | 1 |
| Khimki | 1 |
| Lakemba | 1 |
| Mage | 1 |
| Melbourne | 1 |
| Nukus | 1 |
| Porto Alegre | 1 |