Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/125339
Название: | Рост напряженных тонких пленок InGaAsN на подложке GaAs и Si методом импульсного лазерного напыления |
Другие названия: | PLD Growth of Strained Thin Films InGaAsN on GaAs and Si Substrate |
Авторы: | Девицкий, О. В. Никулин, Д. А. |
Дата публикации: | 2022 |
Издатель: | УрФУ |
Библиографическое описание: | Девицкий О. В. Рост напряженных тонких пленок InGaAsN на подложке GaAs и Si методом импульсного лазерного напыления / О. В. Девицкий, Д. А. Никулин. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2022 : тезисы докладов IX Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина, Екатеринбург, 16-20 мая 2022 г. — Екатеринбург: УрФУ, 2022. — С. 158-160. — URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125339. |
Аннотация: | Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие пленки InGaAsN на подложках GaAs и Si. Установлено, что распределение микрокапель на поверхности пленки упорядочено в виде линий. Концентрация азота в пленке InGaAsN на GaAs составляла 1,9 %, для пленок InGaAsN на Si - 1,8 %. |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/125339 |
Конференция/семинар: | IX Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина ФТИ-2022 |
Дата конференции/семинара: | 16.05.2022-20.05.2022 |
Сведения о поддержке: | Работа выполнена в рамках государственного заказа Федеральному исследова-тельскому центру Южный научный центр Российской академии наук № 122020100326-7. Исследования выполнены на оборудовании Центра коллективного пользования Северо-Кавказского федерального университета при финансовой поддержке Минобрнауки России, уникальный идентификатор проекта РФ 2296.61321Х0029 (договор № 075-15-2021-687). Авторы выражают благодарность СКФУ за помощь в рамках конкурса на поддержку проектов научных коллективов и отдельных ученых Северо-Кавказского федерального университета. |
Источники: | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2022). — Екатеринбург, 2022 |
Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
fti_2022_9_051.pdf | 314,64 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.