Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125339
Название: Рост напряженных тонких пленок InGaAsN на подложке GaAs и Si методом импульсного лазерного напыления
Другие названия: PLD Growth of Strained Thin Films InGaAsN on GaAs and Si Substrate
Авторы: Девицкий, О. В.
Никулин, Д. А.
Дата публикации: 2022
Издатель: УрФУ
Библиографическое описание: Девицкий О. В. Рост напряженных тонких пленок InGaAsN на подложке GaAs и Si методом импульсного лазерного напыления / О. В. Девицкий, Д. А. Никулин. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2022 : тезисы докладов IX Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина, Екатеринбург, 16-20 мая 2022 г. — Екатеринбург: УрФУ, 2022. — С. 158-160. — URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125339.
Аннотация: Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие пленки InGaAsN на подложках GaAs и Si. Установлено, что распределение микрокапель на поверхности пленки упорядочено в виде линий. Концентрация азота в пленке InGaAsN на GaAs составляла 1,9 %, для пленок InGaAsN на Si - 1,8 %.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125339
Конференция/семинар: IX Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина
ФТИ-2022
Дата конференции/семинара: 16.05.2022-20.05.2022
Сведения о поддержке: Работа выполнена в рамках государственного заказа Федеральному исследова-тельскому центру Южный научный центр Российской академии наук № 122020100326-7. Исследования выполнены на оборудовании Центра коллективного пользования Северо-Кавказского федерального университета при финансовой поддержке Минобрнауки России, уникальный идентификатор проекта РФ 2296.61321Х0029 (договор № 075-15-2021-687). Авторы выражают благодарность СКФУ за помощь в рамках конкурса на поддержку проектов научных коллективов и отдельных ученых Северо-Кавказского федерального университета.
Источники: Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2022). — Екатеринбург, 2022
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2022_9_051.pdf314,64 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.