ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/124737| Название: | ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ИСХОДНУЮ ДОМЕННУЮ СТРУКТУРУ В ТАНТАЛАТЕ ЛИТИЯ С ГРАДИЕНТОМ СОСТАВА |
| Другие названия: | INFLUENCE OF ELECTRIC FIELD ON INITIAL DOMAIN STRUCTURE IN LITHIUM TANTALATE WITH COMPOSITIONAL GRADIENT |
| Авторы: | Greshnyakov, E. D. Pryakhina, V. I. Lisjikh, B. I. Nebogatikov, M. S. Shur, V. Ya. Грешняков, Е. Д. Пряхина, В. И. Лисьих, Б. И. Небогатиков, М. С. Шур, В. Я. |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | УрФУ |
| Библиографическое описание: | ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ИСХОДНУЮ ДОМЕННУЮ СТРУКТУРУ В ТАНТАЛАТЕ ЛИТИЯ С ГРАДИЕНТОМ СОСТАВА / Е. Д. Грешняков, В. И. Пряхина, Б. И. Лисьих, М. С. Небогатиков, В. Я. Шур // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VIII Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 17–21 мая 2021 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2021. — C. 215-216. |
| Аннотация: | The AC electric field has been applied to lithium tantalate with compositional gradient produced by vapor transport equilibration (VTE) procedure. Decay of the initial domain struc-ture accompanied by charged domain walls formation has been revealed. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/124737 |
| Конференция/семинар: | VIII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» |
| Дата конференции/семинара: | 17.05.2021-21.05.2021 |
| ISBN: | 978-5-8295-0769-5 |
| Сведения о поддержке: | Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» ИЕНиМ УрФУ. Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта 19-32-90050. |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2021) |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 978-5-8295-0769-5_2021_091.pdf | 371,3 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.