Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/124594
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorSandakov, N. S.en
dc.contributor.authorGudina, S. V.en
dc.contributor.authorNeverov, V. N.en
dc.contributor.authorBogoliubskiy, A. S.en
dc.contributor.authorTurutkin, K. V.en
dc.contributor.authorYakunin, M. V.en
dc.contributor.authorVasil’evskiy, I. S.en
dc.contributor.authorVinichenko, A. N.en
dc.contributor.authorСандаков, Н. С.ru
dc.contributor.authorГудина, С. В.ru
dc.contributor.authorНеверов, В. Н.ru
dc.contributor.authorБоголюбский, А. С.ru
dc.contributor.authorТуруткин, К. В.ru
dc.contributor.authorЯкунин, М. В.ru
dc.contributor.authorВасильевский, И. С.ru
dc.contributor.authorВиниченко, А. Н.ru
dc.date.accessioned2023-08-28T09:17:44Z-
dc.date.available2023-08-28T09:17:44Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationОБМЕННОЕ УСИЛЕНИЕ G-ФАКТОРА ЭЛЕКТРОНОВ В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs / Н. С. Сандаков, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, А. С. Боголюбский, К. В. Туруткин, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов X Международной молодежной научной конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академиков И. В. Курчатова и А. П. Александрова (Екатеринбург, 15–19 мая 2023 г.). — Екатеринбург : Издательство АМБ, 2023. — C. 300-301.ru
dc.identifier.isbn978-5-6050040-2-8-
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/124594-
dc.description.abstractMagnetotransport in InGaAs/InAlAs heterostructures in tilted magnetic field is studied. It is shown that the value of the g* factor increases with an increase in the InAs content and the dependence of the g* factor on magnetic field is also revealed.en
dc.description.sponsorshipРабота выполнена в рамках государственного задания по теме «Электрон» Г.р. № 122021000039-4.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoru-
dc.publisherИздательство АМБru
dc.relation.ispartofФизика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2023)ru
dc.titleОБМЕННОЕ УСИЛЕНИЕ G-ФАКТОРА ЭЛЕКТРОНОВ В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAsru
dc.title.alternativeEXCHANGE ENHANCEMENT OF THE ELECTRON G-FACTOR IN InGaAs/InAlAs METAMORPHIC HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH InAs CONTENTen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/submittedVersionen
dc.conference.nameX Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 120-летию со дня рождения академиков И. В. Курчатова и А. П. Александроваru
dc.conference.date15.05.2023-19.05.2023-
local.description.firstpage300-
local.description.lastpage301-
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-6050040-2-8_2023_124.pdf312,96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.