Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/124594
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Sandakov, N. S. | en |
dc.contributor.author | Gudina, S. V. | en |
dc.contributor.author | Neverov, V. N. | en |
dc.contributor.author | Bogoliubskiy, A. S. | en |
dc.contributor.author | Turutkin, K. V. | en |
dc.contributor.author | Yakunin, M. V. | en |
dc.contributor.author | Vasil’evskiy, I. S. | en |
dc.contributor.author | Vinichenko, A. N. | en |
dc.contributor.author | Сандаков, Н. С. | ru |
dc.contributor.author | Гудина, С. В. | ru |
dc.contributor.author | Неверов, В. Н. | ru |
dc.contributor.author | Боголюбский, А. С. | ru |
dc.contributor.author | Туруткин, К. В. | ru |
dc.contributor.author | Якунин, М. В. | ru |
dc.contributor.author | Васильевский, И. С. | ru |
dc.contributor.author | Виниченко, А. Н. | ru |
dc.date.accessioned | 2023-08-28T09:17:44Z | - |
dc.date.available | 2023-08-28T09:17:44Z | - |
dc.date.issued | 2023 | - |
dc.identifier.citation | ОБМЕННОЕ УСИЛЕНИЕ G-ФАКТОРА ЭЛЕКТРОНОВ В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs / Н. С. Сандаков, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, А. С. Боголюбский, К. В. Туруткин, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов X Международной молодежной научной конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академиков И. В. Курчатова и А. П. Александрова (Екатеринбург, 15–19 мая 2023 г.). — Екатеринбург : Издательство АМБ, 2023. — C. 300-301. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-5-6050040-2-8 | - |
dc.identifier.uri | http://elar.urfu.ru/handle/10995/124594 | - |
dc.description.abstract | Magnetotransport in InGaAs/InAlAs heterostructures in tilted magnetic field is studied. It is shown that the value of the g* factor increases with an increase in the InAs content and the dependence of the g* factor on magnetic field is also revealed. | en |
dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках государственного задания по теме «Электрон» Г.р. № 122021000039-4. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | ru | - |
dc.publisher | Издательство АМБ | ru |
dc.relation.ispartof | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2023) | ru |
dc.title | ОБМЕННОЕ УСИЛЕНИЕ G-ФАКТОРА ЭЛЕКТРОНОВ В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs | ru |
dc.title.alternative | EXCHANGE ENHANCEMENT OF THE ELECTRON G-FACTOR IN InGaAs/InAlAs METAMORPHIC HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH InAs CONTENT | en |
dc.type | Conference Paper | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/submittedVersion | en |
dc.conference.name | X Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 120-летию со дня рождения академиков И. В. Курчатова и А. П. Александрова | ru |
dc.conference.date | 15.05.2023-19.05.2023 | - |
local.description.firstpage | 300 | - |
local.description.lastpage | 301 | - |
Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
978-5-6050040-2-8_2023_124.pdf | 312,96 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.