ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/123919| Название: | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОГЕННЫХ НАНОСИСТЕМ НА ОСНОВЕ ОКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ZnO И SnO2 |
| Другие названия: | THE STRUCTURE AND THE ELECTRICAL PROPERTIES OF HETEROGENEOUS NANOSYSTEMS BASED ON ZnO AND SnO2 OXIDE SEMICONDUCTORS |
| Авторы: | Жилова, О. В. Панков, С. Ю. Макагонов, В. А. Каширин, М. А. Zhilova, O. V. Pankov, S. Y. Makagonov, V. A. Kashirin, M. A. |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | УрФУ |
| Библиографическое описание: | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОГЕННЫХ НАНОСИСТЕМ НА ОСНОВЕ ОКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ZnO И SnO2 / О. В. Жилова, С. Ю. Панков, В. А. Макагонов, М. А. Каширин // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VIII Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 17–21 мая 2021 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2021. — C. 356-357. |
| Аннотация: | The effect of heat treatment on the structure and the electrical properties of ZnO/SnO2 multilayer thin-film systems studied. It was found that the films have a layered structure that is stable up to 400°C. After annealing at 400°C and 600°C Mott variable range hopping con-duction mechanism observed. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/123919 |
| Конференция/семинар: | VIII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» |
| Дата конференции/семинара: | 17.05.2021-21.05.2021 |
| ISBN: | 978-5-8295-0769-5 |
| Сведения о поддержке: | Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания (проект № FZGM-2020-0007). |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2021) |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 978-5-8295-0769-5_2021_173.pdf | 378,57 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.