1. Электронный научный архив УрФУ
  2. 00. Общеуниверситетские коллекции
  3. Авторефераты и диссертации
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/118991
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.advisorГудина, С. В.ru
dc.contributor.authorБоголюбский, А. С.ru
dc.date.accessioned2022-11-03T05:37:34Z-
dc.date.available2022-11-03T05:37:34Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationБоголюбский А. С. Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 / А. С. Боголюбский ; [Место защиты: Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина]. — Екатеринбург, 2022. — 94 с. — Библиогр.: с. 87-94 (122 назв.).ru
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/118991-
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherб. и.ru
dc.rightsПредоставлено автором на условиях простой неисключительной лицензииru
dc.rights.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/31613-
dc.subjectДИССЕРТАЦИИru
dc.subjectФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВru
dc.subjectПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКАru
dc.subjectКВАНТОВЫЕ СТРУКТУРЫru
dc.subjectГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫru
dc.titleКвантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11ru
dc.typeThesisen
dc.thesis.degreeКандидат физико-математических наукru
dc.thesis.levelКандидат наукru
dc.thesis.disciplineФизика полупроводниковru
Располагается в коллекциях:Авторефераты и диссертации

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
urfu2425_d.pdf5,57 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Статистика


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.