Виртуальный прибор для моделирования вольт-амперных характеристик мемристорных устройств

Abstract

Программа предназначена для моделирования резистивного переключения мемристорных устройств, основанного на движении границы между обогащённой и обеднённой дефектами областями активного слоя. В основе виртуального прибора (ВП) лежит математическая модель движения точечных дефектов кристаллической решётки при подаче управляющего напряжения. ВП позволяет управлять значениями параметров активного слоя: сопротивлением в различных состояниях, толщиной, начальным положением границы, подвижностью дефектов и степенью нелинейности «функции окна». Пользователь имеет возможность задавать форму управляющего напряжения, амплитуду, частоту и длительность сигнала. При моделировании вольт-амперная характеристика и временные зависимости параметров структуры отображаются на лицевой панели ВП и сохраняются в текстовый файл. Программа используется в научных исследований и учебных целях. Язык программирования: G (National Instruments LabVIEW 2014). Объем: 2,21 МБ.