ISSN: 2310-757X
Статистика
Посещений всего
| Посещения | |
|---|---|
| Dislocation Structure and Mobility in the Layered Semiconductor InSe: a First-Principles Study | 113 |
Посещений по месяцам
| октября 2024 | ноября 2024 | декабря 2024 | января 2025 | февраля 2025 | марта 2025 | апреля 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Dislocation Structure and Mobility in the Layered Semiconductor InSe: a First-Principles Study | 4 | 3 | 18 | 9 | 6 | 1 | 5 |
Загрузок
| Посещения | |
|---|---|
| 2-s2.0-85115948961.pdf | 80 |
Посещений по странам
| Посещения | |
|---|---|
| Соединенные Штаты | 70 |
| Россия | 17 |
| Франция | 6 |
| Германия | 3 |
| Вьетнам | 3 |
| Бразилия | 2 |
| Армения | 1 |
| Аргентина | 1 |
| Австралия | 1 |
| Беларусь | 1 |
Посещений по городам
| Посещения | |
|---|---|
| San Mateo | 21 |
| Moscow | 12 |
| Ashburn | 4 |
| Alejandro Korn | 1 |
| Andover | 1 |
| Balashikha | 1 |
| Hortolândia | 1 |
| Miami | 1 |
| Phoenix | 1 |
| Ryazan | 1 |