Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/109901
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМухамедьянова, Е. В.ru
dc.contributor.authorГалишева, A. О.ru
dc.contributor.authorТарасова, Н. А.ru
dc.contributor.authorАнимица, И. Е.ru
dc.contributor.authorMuhamedyanova, E. V.en
dc.contributor.authorGalisheva, A. O.en
dc.contributor.authorTarasova, N. A.en
dc.contributor.authorAnimitsa, I. E.en
dc.date.accessioned2022-04-06T10:49:50Z-
dc.date.available2022-04-06T10:49:50Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationВлияние природы галогена (F-, Cl-) на электрические свойства протонных проводников на основе Ba4In2Zr2O11 / Е. В. Мухамедьянова, A. О. Галишева, Н. А. Тарасова, И. Е. Анимица // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов V Международной молодежной научной конференции, посвященной памяти Почетного профессора УрФУ В. С. Кортова (Екатеринбург, 14–18 мая 2018 г.) : Секция 4. Материаловедение. — Екатеринбург : [УрФУ], 2018. — C. 19-20.ru
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/109901-
dc.description.abstractImproving the physico-chemical properties of complex oxides is one of the main tasks of modern materials science. Anion doping is one of the promising methods of modification. In the present study, a synthesis of novel halogen-substituted compounds with a perovskite structure was performed. The effect of halogen-dopant on electrical properties was established.en
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при финансовой поддержке РФФИ №16-33-60018.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherУральский федеральный университетru
dc.relation.ispartofФизика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2018)ru
dc.titleВлияние природы галогена (F-, Cl-) на электрические свойства протонных проводников на основе Ba4In2Zr2O11ru
dc.title.alternativeTHE INFLUENCE OF THE NATURE OF HALOGEN (F-, Cl-) ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF PROTON CONDUCTORS BASED ON Ba4In2Zr2O11en
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.conference.nameV Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2018)», посвященная памяти Почетного профессора УрФУ В. С. Кортоваru
dc.conference.date14.05.2018-18.05.2018-
local.description.firstpage19-
local.description.lastpage20-
local.fund.rffi16-33-60018-
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2018_4_009.pdf412,43 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.