Размерный эффект в электросопротивлении тонких пленок Bi2Se3

Доможирова, А. Н.; Чистяков, В. В.; Huang, J. C. A.; Марченков, В. В.; Domozhirova, A. N.; Chistyakov, V. V.; Huang, J. C. A.; Marchenkov, V. V.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10995/108027

Title:	Размерный эффект в электросопротивлении тонких пленок Bi2Se3
Other Titles:	SIZE EFFECT IN THE ELECTRICAL RESISTIVITY OF THIN FILMS Bi2Se3
Authors:	Доможирова, А. Н. Чистяков, В. В. Huang, J. C. A. Марченков, В. В. Domozhirova, A. N. Chistyakov, V. V. Huang, J. C. A. Marchenkov, V. V.
Issue Date:	2017
Publisher:	УрФУ
Citation:	Размерный эффект в электросопротивлении тонких пленок Bi2Se3 / А. Н. Доможирова, В. В. Чистяков, J. C. A. Huang, В. В. Марченков // Физика. Технологии. Инновации (Секция 1) : тезисы докладов IV Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 15–19 мая 2017 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2017. — C. 126-127.
Abstract:	Temperature dependence of the electrical resistivity for thin films of topological insulator Bi2Se3 with thicknesses of 10, 20, 30, 40 and 50 nm were measured in the temperature range from 4.2 to 300 K. Size effect, i.e. a linear dependence of the resistivity on the film inverse thickness, was found.
URI:	http://hdl.handle.net/10995/108027
Conference name:	IV Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Conference date:	15.05.2017-19.05.2017
Origin:	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2017). — Екатеринбург, 2017
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
fti_2017_076.pdf		651,25 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar