Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/107486
Название: | Способ получения нанотрубок диоксида циркония с квантовыми проводниками |
Другие названия: | Method for Producing Zirconium Dioxide Nanotubes with Quantum Conductors |
Номер патента: | 2758998 |
Авторы: | Vokhmintsev, A. S. Kamalov, R. V. Petrenev, I. A. Vainshtein, I. A. Вохминцев, А. С. Камалов, Р. В. Петренев, И. А. Вайнштейн, И. А. |
Дата публикации: | 2021-11-08 |
Аннотация: | FIELD: chemistry. SUBSTANCE: invention relates to an electrochemical technology for producing zirconium dioxide ZrO2 nanotubes with subsequent formation of quantum conductors. ZrO2 nanotubes are synthesised by the method of anodising a Zr substrate in an ethylene glycol-based electrolyte with a content of 5 ±1% wt. of H2O and 1.0 ±0.31 of NH4F at a constant voltage in the range of 20 ±5 V and thermal regulation of the anode at a temperature of 10±5°C. A Me electrode made of gold or platinum is then applied to the ZrO2 nanotubular layer. Quantum conductors are formed in an external electric field with a voltage of less than 25 kV/cm by grounding the Zr substrate and applying a positive voltage to the Me electrode. The amount of quantum conductors is then controlled by an electric field with a voltage of less than 6 kV/cm by grounding the Zr substrate and applying a positive voltage to the Me electrode. EFFECT: production of quantum conductors stable at room temperature from oxygen vacancies in ZrO2 nanotubes. 1 cl, 4 dwg, 5 ex. Изобретение относится к электрохимической технологии получения нанотрубок диоксида циркония ZrO2 c последующим формированием квантовых проводников. Получение стабильных при комнатной температуре квантовых проводников из вакансий кислорода в нанотрубках ZrO2 является техническим результатом изобретения. Нанотрубки ZrO2 синтезируют методом анодирования Zr-подложки в электролите на основе этиленгликоля с содержанием 5±1 мас.% H2O и 1.0±0.3 мас.% NH4F при постоянном напряжении в диапазоне 20±5 В и термостатировании анода при температуре 10±5°C. Затем на нанотубулярный слой ZrO2 наносят Me-электрод из золота или платины. Квантовые проводники формируют во внешнем электрическом поле напряженностью менее 25 кВ/см путем заземления Zr-подложки и подачи положительного напряжения на Me-электрод. После чего количество квантовых проводников контролируют электрическим полем напряженностью менее 6 кВ/см путем заземления Zr-подложки и подачи положительного напряжения на Me-электрод. 4 ил., 5 пр. |
Ключевые слова: | PATENT INVENTION ПАТЕНТ ИЗОБРЕТЕНИЕ |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/107486 |
Идентификатор РИНЦ: | 47259690 |
Идентификатор PURE: | 29455586 |
Вид РИД: | Патент на изобретение |
Патентообладатель: | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина» |
Располагается в коллекциях: | Патенты и изобретения |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2758998.pdf | 1,73 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.