Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10995/107354
Title: Механизмы резистивного переключения мемристоров на основе нанотубулярных массивов анодного диоксида циркония : магистерская диссертация
Other Titles: Resistive switching mechanisms of memristors based on nanotubular arrays of anodic zirconium dioxide
Authors: Петренев, И. А.
Petrenyov, I. A.
metadata.dc.contributor.advisor: Вохминцев, А. С.
Vokhmintsev, A. S.
Issue Date: 2021
Publisher: б. и.
Citation: Петренев, И. А. Механизмы резистивного переключения мемристоров на основе нанотубулярных массивов анодного диоксида циркония : магистерская диссертация / И. А. Петренев ; Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина, Физико-технологический институт, Кафедра физических методов и приборов контроля качества. — Екатеринбург, 2021. — 83 с. — Библиогр.: с. 72-83 (103 назв.).
Abstract: Синтезированы мемристорные сэндвич-структуры Zr/ZrO2-nt/Au диаметром 140 мкм на основе нанотубулярного слоя диоксида циркония толщиной 1.7 мкм и внутренним диаметром нанотрубок 55 нм. Проведена аттестация образцов методами сканирующей электронной и конфокальной микроскопии. Исследованы вольт-амперные характеристики полученных устройств в статическом и импульсном режимах резистивного переключения. Определены параметры резистивного переключения. Установлены механизмы проводимости, доминирующие в различных состояниях структуры. Продемонстрирована возможность формирования квантовых филаментов, состоящих из кислородных вакансий, в оксидном слое. Показана перспективность применения данных структур в качестве мемристорных элементов памяти.
Memristor Zr/ZrO2-nt/Au structure based on the zirconium oxide nanotubular layer with the thickness of 1.7 μm and the nanotubes inner diameter of 55 nm was synthesized. Attestation of the samples was performed with the methods of scanning electron and confocal microscopy. Current-voltage curves of the fabricated devices in static and pulsed modes of resistance switching were studied. Conduction mechanisms that dominate in different structure states were established. The formation of quantum filaments which consist of oxygen vacancies was shown to be possible in the oxide layer. The perspective of using these structures as memristor memory elements was shown.
Keywords: МАГИСТЕРСКАЯ ДИССЕРТАЦИЯ
НАНОТРУБКИ
ДИОКСИД ЦИРКОНИЯ
МЕМРИСТОРЫ
РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ФИЛАМЕНТЫ
КВАНТОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ
МЕХАНИЗМЫ ПРОВОДИМОСТИ
АНОДИРОВАНИЕ
MASTER'S THESIS
NANOTUBES
ZIRCONIUM DIOXIDE
MEMRISTORS
RESISTIVE SWITCHING
CURRENT-VOLTAGE CURVES
FILAMENTS
QUANTUM CONDUCTANCE
CONDUCTION MECHANISMS
ANODIZATION
URI: http://hdl.handle.net/10995/107354
Access: Предоставлено автором на условиях простой неисключительной лицензии
License text: http://hdl.handle.net/10995/31613
Appears in Collections:Магистерские диссертации

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
m_th_i.a.petrenyov_2021.pdf4,35 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.