Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/107261
Название: ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК GaN/Al2O3 МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО НАПЫЛЕНИЯ
Другие названия: PREPARATION OF THIN FILMS GaN / Al2O3 BY PULSED LASER DEPOSITION
Авторы: Devitsky, O. V.
Nikulin, D. A.
Девицкий, О. В.
Никулин, Д. А.
Дата публикации: 2020
Издатель: УрФУ
Библиографическое описание: Девицкий О. В. ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК GaN/Al2O3 МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО НАПЫЛЕНИЯ / О. В. Девицкий, Д. А. Никулин // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VII Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию Уральского федерального университета (Екатеринбург, 18–22 мая 2020 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2020. — C. 165-166.
Аннотация: Thin films GaN/Al2O3 were obtained by pulsed laser sputtering from a liquid gallium target in an atmosphere of argon and nitrogen. A certain dependence on the laser pulse energy on the phonon mode value E2(high) GaN and the arithmetic average roughness of the films.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/107261
Конференция/семинар: VII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию Уральского федерального университета
Дата конференции/семинара: 18.05.2020-22.05.2020
Сведения о поддержке: Публикация подготовлена в рамках государственных заданий Федерального иссле-довательского центра Южного научного центра РАН на 2020 г. (номер госрегистра-ции АААА-А19-119040390081-2).
Источники: Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2020)
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2020_068.pdf282,37 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.