ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЁНОК Cu(In, Ga)Se2 ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 10 МэВ НА СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ

Sulimov, M. A.; Sarychev, M. N.; Mogilnikov, I. A.; Ivanov, V. Yu.; Zhivulko, V. D.; Borodavchenko, O. M.; Mudryi, A. V.; Yakushev, M. V.; Сулимов, М. А.; Сарычев, М. Н.; Могильников, И. А.; Иванов, В. Ю.; Живулько, В. Д.; Бородавченко, О. М.; Мудрый, А. В.; Якушев, М. В.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/106697

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Sulimov, M. A.	en
dc.contributor.author	Sarychev, M. N.	en
dc.contributor.author	Mogilnikov, I. A.	en
dc.contributor.author	Ivanov, V. Yu.	en
dc.contributor.author	Zhivulko, V. D.	en
dc.contributor.author	Borodavchenko, O. M.	en
dc.contributor.author	Mudryi, A. V.	en
dc.contributor.author	Yakushev, M. V.	en
dc.contributor.author	Сулимов, М. А.	ru
dc.contributor.author	Сарычев, М. Н.	ru
dc.contributor.author	Могильников, И. А.	ru
dc.contributor.author	Иванов, В. Ю.	ru
dc.contributor.author	Живулько, В. Д.	ru
dc.contributor.author	Бородавченко, О. М.	ru
dc.contributor.author	Мудрый, А. В.	ru
dc.contributor.author	Якушев, М. В.	ru
dc.date.accessioned	2021-12-30T04:55:14Z	-
dc.date.available	2021-12-30T04:55:14Z	-
dc.date.issued	2020	-
dc.identifier.citation	ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЁНОК Cu(In, Ga)Se2 ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 10 МэВ НА СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ / М. А. Сулимов, М. Н. Сарычев, И. А. Могильников и др. // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VII Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию Уральского федерального университета (Екатеринбург, 18–22 мая 2020 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2020. — C. 343-345.	ru
dc.identifier.uri	http://elar.urfu.ru/handle/10995/106697	-
dc.description.abstract	Thin films of Cu(In,Ga)Se2 on Mo coated glass substrates were studied by photolumines-cence (PL) technique before and after irradiation with a dose of 1.8·1015 cm–2 of 10 MeV electrons to determine the nature of radiation defects in Cu(In,Ga)Se2.	en
dc.description.sponsorship	Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (проект № 17-12-01500).	ru
dc.format.mimetype	application/pdf	en
dc.language.iso	ru	en
dc.publisher	УрФУ	ru
dc.relation	info:eu-repo/grantAgreement/RSF//17-12-01500	en
dc.relation.ispartof	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2020)	ru
dc.title	ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЁНОК Cu(In, Ga)Se2 ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 10 МэВ НА СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ	ru
dc.title.alternative	INFLUENCE OF IRRADIATION OF Cu(In, Ga)Se2 THIN FILMS BY 10 MeV ELECTRONS ON PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA	en
dc.type	Conference Paper	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	en
dc.conference.name	VII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию Уральского федерального университета	ru
dc.conference.date	18.05.2020-22.05.2020	-
local.description.firstpage	343	-
local.description.lastpage	345	-
local.fund.rsf	17-12-01500	-
Располагается в коллекциях:	Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
fti_2020_171.pdf		331,63 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать базовое описание ресурса Статистика

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.