Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/104674
Название: Поиск оптимальной толщины слоя In0.3Ga0.7As в трехкаскадном In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечном элементе в зависимости от времени жизни неосновных носителей заряда в этом слое
Авторы: Леган, Д. М.
Научный руководитель: Пчеляков, О. П.
Дата публикации: 2017
Издатель: Издательство АСФ России
Библиографическое описание: Леган Д. М. Поиск оптимальной толщины слоя In0.3Ga0.7As в трехкаскадном In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечном элементе в зависимости от времени жизни неосновных носителей заряда в этом слое / Д. М. Леган // Двадцать третья Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных : материалы конференции. Информационный бюллетень (Екатеринбург, 01 - 08 апреля 2017 г.). — Екатеринбург – Ростов-на-Дону : Издательство АСФ России, 2017. — С. 154-155.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/104674
Конференция/семинар: Двадцать третья Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных. ВНКСФ – 23
Дата конференции/семинара: 01.04.2017-08.04.2017
ISBN: 978-5-93667-204-0
Сведения о поддержке: Работа выполнена при поддержке гранта РНФ: № 16-12-00023.
Карточка проекта РНФ: 16-12-00023
Источники: Двадцать третья Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных. ВНКСФ – 23. — Екатеринбург, 2017
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-93667-204-0_2017_094.pdf385,74 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.