ISSN: 2310-757X
Статистика
Посещений всего
| Посещения | |
|---|---|
| Двумерное зарождение вблизи моноатомной ступени на начальных стадиях Si/Si(111)-(7×7) эпитаксии | 81 |
Посещений по месяцам
| ноября 2024 | декабря 2024 | января 2025 | февраля 2025 | марта 2025 | апреля 2025 | мая 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Двумерное зарождение вблизи моноатомной ступени на начальных стадиях Si/Si(111)-(7×7) эпитаксии | 2 | 3 | 2 | 4 | 6 | 1 | 0 |
Загрузок
| Посещения | |
|---|---|
| 978-5-93667-204-0_2017_064.pdf | 54 |
Посещений по странам
| Посещения | |
|---|---|
| Соединенные Штаты | 45 |
| Россия | 17 |
| Германия | 5 |
| Франция | 4 |
| Вьетнам | 3 |
| Армения | 2 |
| Аргентина | 1 |
| Австралия | 1 |
| Финляндия | 1 |
| Сингапур | 1 |
Посещений по городам
| Посещения | |
|---|---|
| Moscow | 12 |
| Ashburn | 8 |
| San Mateo | 4 |
| Hanoi | 3 |
| Des Moines | 2 |
| Boardman | 1 |
| Boguchar | 1 |
| Kharkiv | 1 |
| Melbourne | 1 |
| Odintsovo | 1 |