Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/103299
Название: Structural, morphological and 1/f noise properties of ITO/TiO2thin films by e-beam evaporation system for optoelectronic device applications
Авторы: Manjunath, V.
Sowmya, D. V.
Achari, K. M. M.
Sandhya, P.
Sravya, G.
Ananda, P.
Krishnaiah, M.
Дата публикации: 2020
Издатель: American Institute of Physics Inc.
Библиографическое описание: Structural, morphological and 1/f noise properties of ITO/TiO2thin films by e-beam evaporation system for optoelectronic device applications / V. Manjunath, D. V. Sowmya, K. M. M. Achari, et al. — DOI 10.1063/5.0018120 // AIP Conference Proceedings. — 2020. — Vol. 2280. — 0018120.
Аннотация: In the present research study, ITO/TiO2 thin films were prepared on a glass substrate by using an electron beam (e-beam) evaporation system at different annealing temperatures (300, 350, 400 and 450 °C). The amorphous and crystalline natures of ITO/TiO2 structure were analyzed by X-ray diffraction study. As the grain size becomes larger, indirectly it will develop the crystalline quality of the TiO2 films studied from AFM. The surface of TiO2 films and the crystalline size of the sample were increased gradually with respect to a temperature that is observed in SEM. The elemental composition determined by the energy dispersive analysis of EDAX showed that TiO2 thin films were highly stoichiometric. Further, the higher optical transmittance (93%) was obtained with 450 °C annealed ITO/TiO2 film. The optical band gap increased along with annealing temperatures (300, 350, 400 and 450 °C). All the above results of this present work can be utilized for solar cell and optoelectronic device applications. © 2020 Author(s).
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/103299
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
Идентификатор SCOPUS: 85096445630
Идентификатор PURE: 20131796
205796ba-151e-4aae-973b-80bf4bb7187b
ISSN: 0094243X
ISBN: 9780735440104
DOI: 10.1063/5.0018120
Располагается в коллекциях:Научные публикации, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-85096445630.pdf710,3 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.