Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/102245
Название: Imprint effect in PZT thin films at compositions around the morphotropic phase boundary
Авторы: Araujo, E. B.
Lima, E. C.
Bdikin, I. K.
Kholkin, A. L.
Дата публикации: 2016
Издатель: Taylor and Francis Inc.
Библиографическое описание: Imprint effect in PZT thin films at compositions around the morphotropic phase boundary / E. B. Araujo, E. C. Lima, I. K. Bdikin, et al. — DOI 10.1080/00150193.2016.1166421 // Ferroelectrics. — 2016. — Vol. 498. — Iss. 1. — P. 18-26.
Аннотация: Piezoeresponse force microscopy (PFM) and local piezoresponse hysteresis loops were used to study the imprint effect in PbZr1-xTixO3 thin films at compositions around the morphotropic phase boundary (MPB). Schottky barriers and mechanical coupling between film-substrate were excluded as origin for the imprint in these films. Comparing the composition dependence of the effective d33 before poling with some reports in the literature, the existence of point defects such as complex vacancies (Vpb.., VO.. and Vpb..-VO..) and Ti3+ centers is discussed as probable origin for the imprint effect observed here. © 2016, © Taylor & Francis Group, LLC.
Ключевые слова: IMPRINT
PZT
THIN FILMS
POINT DEFECTS
SCHOTTKY BARRIER DIODES
COMPOSITION DEPENDENCE
FILM SUBSTRATES
FORCE MICROSCOPY
IMPRINT
IMPRINT EFFECT
MECHANICAL COUPLING
MORPHOTROPIC PHASE BOUNDARIES
SCHOTTKY BARRIERS
THIN FILMS
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/102245
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
Идентификатор SCOPUS: 84975143327
Идентификатор PURE: 1025437
e8455e21-53ef-4bfa-b132-c2a06491fc84
ISSN: 150193
DOI: 10.1080/00150193.2016.1166421
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-84975143327.pdf772,03 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.