Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/101159
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБунин, М. А.ru
dc.contributor.authorЁршин, В. А.ru
dc.contributor.authorМирущенко, М. Д.ru
dc.contributor.authorДонченко, И. А.ru
dc.contributor.authorПавленко, А. В.ru
dc.contributor.authorРаевский, И. П.ru
dc.date.accessioned2021-08-31T13:25:00Z-
dc.date.available2021-08-31T13:25:00Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationДиссипация инжектированного заряда микроразмерных участков поверхности пленки NaNbO3 / М. А. Бунин, В. А. Ёршин, М. Д. Мирущенко, И. А. Донченко, А. В. Павленко, И. П. Раевский // XXII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XXII) : сборник тезисов (Екатеринбург, 25-28 августа 2021 г.). — Екатеринбург: Уральский федеральный университет, 2021. — С. 238.ru
dc.identifier.isbn978-5-9500624-4-5-
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/101159-
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при частичной финансовой поддержке гранта РНФ, проект № 19-12-00205.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherУральский федеральный университетru
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/RSF//19-12-00205en
dc.relation.ispartofXXII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XXII). — Екатеринбург, 2021ru
dc.titleДиссипация инжектированного заряда микроразмерных участков поверхности пленки NaNbO3ru
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.conference.nameXXII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XXII)ru
dc.conference.date25.08.2021-28.08.2021-
local.description.firstpage238-
local.description.lastpage238-
local.description.orderС100-
local.fund.rsf19-12-00205-
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-9500624-4-5_170.pdf626,29 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.