1. Электронный научный архив УрФУ

Просмотр коллекции по группе - По автору Kots, I. N.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
или введите несколько первых букв:  
Отображение результатов 1 до 5 из 5
Дата публикацииНазваниеАвторы
2019Formation of vacuum electronics elements by a combination of methods of focused ion beams and plasma layer etching on SiCRezvan, A. A.; Klimin, V. S.; Kots, I. N.
2018Influence of the focused ion beam parameters on the etching of planar nanosized multigraphene/SiC field emittersJityaev, I. L.; Svetlichnyi, A. M.; Avilov, V. I.; Kots, I. N.; Kolomiytsev, A. S.; Ageev, O. A.
2019Investigation of profiling of silicon surface by local anodic oxidation nanolithography for memristors crossbar architecture creatingPolyakova, V. V.; Kots, I. N.; Smirnov, V. A.
2018Masking layer formation on silicon substrate by the focused ion beams method for plasma-chemical treatmentKots, I. N.; Klimin, V. S.; Rezvan, A. A.; Polyakova, V. V.; Ageev, O. A.
2018Study of the surface profiling of silicon based on the method of local anodic oxidation using scanning probe microscopyPolyakova, V. V.; Kots, I. N.; Smirnov, V. A.; Ageev, O. A.
Отображение результатов 1 до 5 из 5