Просмотр коллекции по группе - По автору Марков, В. Ф.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
или введите несколько первых букв:  
Отображение результатов 91 до 110 из 156 < назад   дальше >
Дата публикацииНазваниеАвторы
2011Пленки твердых растворов замещения в системе PbS-PbSe: синтез, структура, свойстваКатышева, А. С.; Марков, В. Ф.
2020Поиск условий химического осаждения пленок ZrO2 для термоэлектрических преобразователейКарпов, К. А.; Туленин, С. С.; Марков, В. Ф.; Karpov, K. A.; Tulenin, S. S.; Markov, V. F.
7-мар-2017Полупроводниковый сенсорный элемент для определения ионов свинца в водных растворах и способ его изготовленияМарков, В. Ф.; Зарубин, И. В.; Маскаева, Л. Н.; Зарубина, Н. В.
2007Полупроводниковый чувствительный элемент для селективного детектора оксидов азота и способ его полученияМарков, В. Ф.; Поликарпова, Ю. С.; Миронов, М. П.; Маскаева, Л. Н.; Родин, В. Н.; Соловьев, Л. С.; Берг, Б. В.; Потапов, В. Н.; Markov, Vjacheslav Filippovich; Polikarpova, Julija Sergeevna; Mironov, Mikhail Pantelejmonovich; Maskaeva, Larisa Nikolaevna; Rodin, Valerij Nikolaevich; Solovev, Leonid Sergeevich; Berg, Boris Viktorovich; Potapov, Viktor Nikolaevich
2013Получение пленок твердых растворов системы CdS PbS путем модификации поверхности пленки сульфида кадмия при выдержке в водном растворе соли свинцаForostyanaya, N. A.; Polepishina, A. O.; Markov, V. F.; Maskaeva, L. N.; Форостяная, Н. А.; Полепишина, А. О.; Марков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н.
2014Получение пленок твердых растворов системы CdS-PbS путем модификации поверхности пленки сульфида кадмия при выдержке в водном растворе соли свинцаФоростяная, Н. А.; Полепишина, А. О.; Марков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н.; Forostyanaya, N. A.; Polepishina, A. O.; Markov, V. F.; Maskaeva, L. N.
2019Получение твердых растворов CdXPb1 – XS методом ионообменной трансформацииЧуфарова, Н. А.; Сердобинцев, А. А.; Стецюра, С. В.; Маскаева, Л. Н.; Марков, В. Ф.
2013Получение тонкопленочных солнечных преобразователей на основе CuIn(S,Se)2 методом гидрохимического осажденияТуленин, С. С.; Tulenin, S. S.
2019Пробоподготовка твердого инсектицидного препарата для количественного обнаружения альфа-циперметрина методом ВЭЖХТретьяков, А. В.; Ковалев, И. С.; Марков, В. Ф.; Ярошук, С. Б.
2010ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ PbSySe1-y ПРИ СООСАЖДЕНИИ ИЗ РАСТВОРОВКатышева, А. С.; Марков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н.
2022ПРОГНОЗИРОВАНИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ПРОВЕРКА УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ CuSЛысанова, М. А.; Маскаева, Л. Н.; Марков, В. Ф.
21-апр-2017Раствор для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок селенида индияТуленин, С. С.; Марков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н.; Кузнецов, М. В.
27-ноя-2014Раствор для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индияМарков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н.; Туленин, С. С.; Кузнецов, М. В.
2016РАСЧЕТ ГРАНИЧНЫХ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА CdS-PbS В СИСТЕМЕ CdCl2 – Pb(CH3COO)2 – H2NCH2CH2NH2 – N2H4CSКутявина, А. Д.; Форостяная, Н. А.; Маскаева, Л. Н.; Марков, В. Ф.
2013Расчет условий химического осаждения SnSe с использованием селеносульфата натрияБазанова, Е. А.; Марков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н.
2021РОЛЬ ПОДЛОЖКИ В ФОРМИРОВАНИИ ПЛЕНОК CdXPb1−XS ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМПоздин, А. В.; Маскаева, Л. Н.; Марков, В. Ф.; Pozdin, A. V.; Maskaeva, L. N.; Markov, V. F.
2019Сенсорные свойства пленок CdxPb1 – xS(Br) по отношению к присутствию в воздухе NO2Бездетнова, А. Е.; Марков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н.; Шашмурин, Ю. Г.; Франц, А. С.
2023СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЁНОК В СИСТЕМЕ CdS - PbSSelyanina, A. D.; Dyomina, D. A.; Maskaeva, L. N.; Markov, V. F.; Селянина, А. Д.; Дёмина, Д. А.; Маскаева, Л. Н.; Марков, В. Ф.
2023СИНТЕЗ И СВОЙСТВА ПЛЕНОК PbS(Y) И PbS(Y,I)Basalaev, I. D.; Selyanina, A. D.; Maskaeva, L. N.; Markov, V. F.; Басалаев, И. Д.; Селянина, А. Д.; Маскаева, Л. Н.; Марков, В. Ф.
2012Синтез и сорбционные свойства композиционных сорбентов на основе катионита КУ-2-8 с сульфидной компонентойБобылев, А. Е.; Марков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н.