ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/98256| Название: | Радиационно-индуцированные дефекты в кристаллах SrMgF4, облученных быстрыми электронами |
| Другие названия: | RADIATION-INDUCED DEFECTS IN SRMGF4 CRYSTAS IRRADIATED BY FAST ELECTRONS |
| Авторы: | Софронова, А. Ю. Пустоваров, В. А. |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ» |
| Библиографическое описание: | Софронова А. Ю. Радиационно-индуцированные дефекты в кристаллах SrMgF4, облученных быстрыми электронами / А. Ю. Софронова, В. А. Пустоваров // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VI Международной молодежной научной конференции, посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ (Екатеринбург, 20–24 мая 2019 г.). — Екатеринбург : ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ», 2019. — C. 223-224. |
| Аннотация: | The studies of the absorption, photoluminescence, X-ray excited luminescence and TL gloves in temperature range of 8-500 K in SrMgF4 single crystal irradiated with fast electrons were carried out. The nature of induced defects is discussed. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/98256 |
| Конференция/семинар: | VI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ |
| Дата конференции/семинара: | 20.05.2019-24.05.2019 |
| ISBN: | 978-5-8295-0640-7 |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2019). — Екатеринбург, 2019 |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 978-5-8295-0640-7_2019_118.pdf | 431,68 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.