ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/79237Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Lyapunov, N. | en |
| dc.contributor.author | Yau, H. M. | en |
| dc.contributor.author | Dai, J. Y. | en |
| dc.date.accessioned | 2019-12-19T12:26:28Z | - |
| dc.date.available | 2019-12-19T12:26:28Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Lyapunov N. Resistive switching and ferroelectricity in HfO2 thin films / N. Lyapunov, H. M. Yau, J. Y. Dai // Scanning Probe Microscopy. Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. Abstract Book of Joint International Conference (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2019. — P. 111. | en |
| dc.identifier.isbn | 978-5-9500624-2-1 | - |
| dc.identifier.uri | http://elar.urfu.ru/handle/10995/79237 | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | en |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.publisher | Ural Federal University | en |
| dc.relation.ispartof | Scanning Probe Microscopy. Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. — Ekaterinburg, 2019 | en |
| dc.title | Resistive switching and ferroelectricity in HfO2 thin films | en |
| dc.type | Conference Paper | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
| dc.conference.name | 3rd International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; 4th Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials ; International Youth Conference "Functional Imaging of nanomaterials" | en |
| dc.conference.date | 25.08.2019-28.08.2019 | - |
| local.description.firstpage | 111 | - |
| local.description.lastpage | 111 | - |
| Располагается в коллекциях: | Scanning Probe Microscopy | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 978-5-9500624-2-1_2019_091.pdf | 158,2 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.