Резистивный материал

Abstract

FIELD: microelectronics. SUBSTANCE: material may be used in devices with low levels of current and voltage when short-time switches at temperature of 10-150 centigrade are required. This is achieved by addition of germanium selenide and arsenic selenide to silver selenide according to empirical formulation (Ag2Se)x(GeSe)2(1-x)(AS2Se3)x where 0,1?x? 0,5. EFFECT: material provides required temperature range, decreases electric resistance relaxation time down to 11-60 s, increases electric resistance up to 103-105 Ohm m. 2 tbl 1 dwg.

Использование: в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение небольших промежутков времени при 10 - 150oС. Это обеспечивается за счет добавления к халькогениду серебра селенида германия и селенида мышьяка и использования в качестве халькогенида серебра селенида серебра согласно эмпирической формуле (Ag2Se)x(GeSe)2(1-x)(AS2Se3)x, где 0,1?x?0,5. Материал обеспечивает интервал рабочих температур, уменьшение времени релаксации электросопротивления до 11 - 60 с, повышение величины электросопротивления до 103 - 105 Oм•м. 1 ил., 2 табл.