Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://hdl.handle.net/10995/65222
Название: Высоковольтный наносекундный пробой конденсированных сред : учебное пособие
Авторы: Пунанов, И. Ф.
Жидков, И. С.
Чолах, С. О.
Редакторы: Емлин, Р. В.
Дата публикации: 2018
Издатель: Издательство Уральского университета
Библиографическое описание: Пунанов И. Ф. Высоковольтный наносекундный пробой конденсированных сред : учебное пособие : Рекомендовано методическим советом Уральского федерального университета для студентов вуза, обучающихся по направлению подготовки 11.03.04 — Электроника и наноэлектроника / И. Ф. Пунанов, И. С. Жидков, С. О. Чолах ; научный редактор Р. В. Емлин ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина. — Екатеринбург : Издательство Уральского университета, 2018. — 116 с. — ISBN 978-5-7996-2500-9.
Аннотация: Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 — Электроника и наноэлектроника, аспирантов и научных работников. Кратко описаны существующие модели пробоя в кристаллах и жидкостях. Изложены результаты экспериментальных исследований пробоя конденсированных диэлектриков по таким характеристикам, как скорость развития канала пробоя, ток формирования канала, давление в канале пробоя, параметры плазмы в канале пробоя, кристаллографическая направленность каналов. Рассмотрены некоторые экспериментальные методы. Учебное пособие может быть использовано для студентов и аспирантов физических специальностей, в том числе по курсам «Электрорадиоматериалы», «Электрофизические методы обработки материалов».
Ключевые слова: УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ
ЭЛЕКТРОНИКА
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
URI: http://hdl.handle.net/10995/65222
ISBN: 978-5-7996-2500-9
Располагается в коллекциях:Учебные материалы

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-7996-2500-9_2018.pdfУчебное пособие3,75 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.