Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/51135
Название: Low-temperature photoluminescence of ion-implanted SiO2: Sn+ films and glasses
Авторы: Zatsepin, A. F.
Buntov, E. A.
Kortov, V. S.
Pustovarov, V. A.
Fitting, H. -J.
Schmidt, B.
Gavrilov, N. V.
Пустоваров, В. А.
Дата публикации: 2012
Библиографическое описание: Low-temperature photoluminescence of ion-implanted SiO2: Sn+ films and glasses / A. F. Zatsepin, E. A. Buntov, V. S. Kortov, V. A. Pustovarov, H. -J. Fitting, B. Schmidt, N. V. Gavrilov // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2012. — Vol. 6. — № 4. — P. 668-672.
Аннотация: Low-temperature photoluminescence spectroscopy with pulsed synchrotron excitation is applied to study the regularities of excitation and relaxation of both point defects and nanoparticles formed by tin implantation into SiO 2 films and glasses. It has been found that tin implantation followed by air and nitrogen annealing yields the formation of α-Sn nanoclusters and nonstoichiometric SnO x nanoparticles, while a stable phase of SnO 2 does not appear. Alternative channels of luminescence excitation are revealed for nanoclusters, including energy transfer from excitons and electron-hole pairs of the host SiO 2 matrix. © 2012 Pleiades Publishing, Ltd.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/51135
Идентификатор РИНЦ: 20471870
Идентификатор SCOPUS: 84865514171
Идентификатор WOS: 000307342700022
Идентификатор PURE: 1080996
ISSN: 1027-4510
DOI: 10.1134/S1027451012080198
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
10.1134-S1027451012080198.pdf314,73 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.