Асимметричные многослойные пленочные элементы для магнитного детектирования

Abstract

In this paper, we study a magnetic impedance characteristics of film multilayer elements of the strip type [Ti / FeNi] 5 / Ti / Cu / Ti / (FeNi / Ti) x, x = 0...5, prepared by magnetron sputtering. We observed in these structures similar type of magnetization reversal in an array of layers between the substrate and the central conductive layer of copper for all the samples and changing the type of magnetization reversal in the array of the conductive layer of copper with a decrease in the number of upper magnetic layers. Despite the fact that the absolute maximum MI ratio amounted impedance ΔZ / Z = 126% for a symmetrical structure, an asymmetrical structure with four magnetic layers above the layer of copper also has high MI ratio ΔZ / Z = 121% in the lower fields, which allows to recommend asymmetric structure for the subsequent functionalization of the upper layer in detectors of weak magnetic fields.

В данной работе исследуются особенности магнитного импеданса плёночных многослойных элементов в форме полос типа [Ti/FeNi]5/Ti/Cu/Ti/(FeNi/Ti)x, x = 0…5, полученных магнетронным распылением. На полученных структурах наблюдался сходный тип перемагничивания в массиве слоев между подложкой и центральным проводящим слоем меди для всех образцов и смена типа перемагничивания в массиве над проводящим слоем меди при уменьшении количества верхних магнитных слоев. Несмотря на то, что абсолютный максимум МИ соотношения импеданса составил ∆Z/Z=126% для симметричной структуры, асимметричная структура с 4 магнитными слоями над слоем меди также обладает высоким МИ соотношением ∆Z/Z=121% в меньших полях, что позволяет рекомендовать асимметричную структуру для последующей функционализации верхнего слоя в детекторах слабых магнитных полей.