Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10995/35624
Title: Термостабильность атомных и электронных структур при формировании интерфейсов графена и силицена на подложках металлов
Authors: Курбанова, Э. Д.
Полухин, В. А.
Гусева, А. Б.
Митрофанова, Н. С.
Issue Date: 2015
Publisher: Уральский федеральный университет
Citation: Термостабильность атомных и электронных структур при формировании интерфейсов графена и силицена на подложках металлов / Э. Д. Курбанова, В. А. Полухин, А. Б. Гусева [и др.] // Физика. Технологии. Инновации : сборник научных трудов. — Екатеринбург : [УрФУ], 2015. — Вып. 1. — С. 129-137.
Abstract: На основе компьютерного моделирования термической эволюции интерфейсов графен/металл и силицен/металл (М: Ir, Au, Ag и др.) установлены критерии стабильности функциональных свойств этих интерфейсов при сохранении конуса Дирака, как условие достижения высоких скоростей электропереноса (включая легирование интеркалляцией калия).
Analyzing MD simulation data on the thermic evolution of G/M, Si/M interface there are have been established the specificities and criteria of functional stability of atomic, electron (conserving Dirac cone) structures, as main condition of excellent electronic properties (superconductivity including).
Keywords: ГРАФЕН
РИНГ-КЛАСТЕРЫ
ТЕРМОСТАБИЛЬНОСТЬ
СИЛИЦЕН
GRAPHENE
RING CLUSTERS
THERMAL STABILITY
SILICENE
URI: http://hdl.handle.net/10995/35624
Russian Science Citation Index Identifier: http://elibrary.ru/item.asp?id=25651384
ISBN: 978-5-905227-08-0
Origin: Физика. Технологии. Инновации. Вып. 1. — Екатеринбург, 2015.
Appears in Collections:Конференции, семинары

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fti_2015_22.pdf1,45 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.