Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://hdl.handle.net/10995/35624
Название: Термостабильность атомных и электронных структур при формировании интерфейсов графена и силицена на подложках металлов
Авторы: Курбанова, Э. Д.
Полухин, В. А.
Гусева, А. Б.
Митрофанова, Н. С.
Дата публикации: 2015
Издатель: Уральский федеральный университет
Библиографическое описание: Термостабильность атомных и электронных структур при формировании интерфейсов графена и силицена на подложках металлов / Э. Д. Курбанова, В. А. Полухин, А. Б. Гусева [и др.] // Физика. Технологии. Инновации : сборник научных трудов. — Екатеринбург : [УрФУ], 2015. — Вып. 1. — С. 129-137.
Аннотация: На основе компьютерного моделирования термической эволюции интерфейсов графен/металл и силицен/металл (М: Ir, Au, Ag и др.) установлены критерии стабильности функциональных свойств этих интерфейсов при сохранении конуса Дирака, как условие достижения высоких скоростей электропереноса (включая легирование интеркалляцией калия).
Analyzing MD simulation data on the thermic evolution of G/M, Si/M interface there are have been established the specificities and criteria of functional stability of atomic, electron (conserving Dirac cone) structures, as main condition of excellent electronic properties (superconductivity including).
Ключевые слова: ГРАФЕН
РИНГ-КЛАСТЕРЫ
ТЕРМОСТАБИЛЬНОСТЬ
СИЛИЦЕН
GRAPHENE
RING CLUSTERS
THERMAL STABILITY
SILICENE
URI: http://hdl.handle.net/10995/35624
Идентификатор РИНЦ: http://elibrary.ru/item.asp?id=25651384
ISBN: 978-5-905227-08-0
Источники: Физика. Технологии. Инновации. Вып. 1. — Екатеринбург, 2015.
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2015_22.pdf1,45 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.